TiO 2 filminin kırılma indisi ve yok olma katsayısını zarf yöntemine göre hesaplamak

Zarf yöntemine göre TiO 2 filminin kırılma indisi ve yok olma katsayısını hesaplamak için, malzemenin emme katsayısı çok büyük olmamalıdır, aksi takdirde film ürününün nihai geçirgenliğini etkileyecek ve optik performansı azaltacaktır. ürünün; Aynı zamanda, kırılma indisi çok düşük olmamalıdır, aksi takdirde kesme bandının genişliği etkilenecektir. 1976 'da Manifacier tarafından önerilen baoluo çizgi yöntemi, film tabakasının optik kalınlığındaki geçirgenlik (veya yansıtma) aşırı değerini lambda / { {3}}. Gerçek ölçümde, maksimum T / 2 noktası ve minimum T / 4 iletim noktası, Tmax () ve Tmin () olmak üzere iki zarf çizgisi oluşturmak üzere bağlanır. Daha sonra herhangi bir dalga boyunda aşırı uçlar T / 2 ve T / 4 , zarf çizgisi üzerinde noktalar alınarak elde edilir. Son olarak, film tabakasının sönme katsayısı ve kırılma indisi geçirgenlik aşırı değeri kullanılarak hesaplanır ve film tabakasının kalınlığı, kırılma indisinin hesaplanan değerine ve uç noktanın dalga boyuna göre hesaplanır.

Yöntemin ölçüm işlemi basittir, yöntem aynı anda film kırılma indisi, yok olma katsayısı ve ölçüm işleminin kalınlığı film numuneleri ile temasa ihtiyaç duymaz, numune koruması, ekipman test sonuçlarının her türlü yöntemini karşılaştırarak idealdir, düzgün kullanılırsa, filmi tüm optik sabitleri belirlemek için bir yol olabilir. Dalgaboyundaki filmin doğrusal kırılma indisi n ve kalınlığı L, zarf yöntemi kullanılarak hesaplanır.

Nerede:

0010010 nbsp; n0 ve n 1 , sırasıyla hava ve bazın kırılma endeksidir; Tmax ve Tmin, dalga boyunda maksimum ve minimum geçirgenliktir; Lambda 1, lambda 2 ve n (lambda 1), n (lambda 2), iki bitişik tepe veya iletim vadisinin dalga boyuna ve kırılma indisine karşılık gelir eğrisi. TiO 2 filminin kırılma indisi ve yok olma katsayısı Macleod yazılımı kullanılarak hesaplanmıştır. Aşağıdaki şekil (a) 'dan görülebileceği gibi, spektral aralık uv-görünür ve kızılötesine yakındır ve tüm 4 numunelerin kırılma indisi azalmaktadır. 400 ~ 1 000 nm bandındaki 1 numune kırılma indisi 2 arasındadır. {{15}} ~ {{4 }}. 15. 2 örnek ve kırılma indisi 3 örnek kırılma indisi biraz daha yüksekken, 4 örnek numarası kırılma indisi aynı dalga boyunda biraz daha düşüktü, {{4} } 45 ile 2 15 0010010 nbsp...;

Yukarıdaki şekil (b) 'den örnek no. 1 ' un belirgin bir absorpsiyona sahip olduğu ve yok olma katsayısının uv-görünürden uv-görünür spektral aralıkla arttığı görülebilir. Yetersiz oksijen kaynağı nedeniyle metal Ti'nin düşük fiyatlı oksitlerinin üretildiği bilinmektedir. 2 örnekleminin maksimum geçirgenliği önemli ölçüde geliştirildi ve yok olma katsayısı temelde {{5}}. 5×10-3, ki bu hala spektrumun nihai geçirgenliği üzerinde bir etkiye sahipti. 3 numune no. Ve 4 numune spektrumlarının yok olma katsayıları 10-4 mertebesindedir ve spektrumların son geçirgenliği üzerindeki etki temelde ihmal edilebilir düzeydedir. No 1 ve no. 2 dalga boyu ile numunenin yok olma katsayısı artar, diğer iki temel vakum derecesinin koşulu altında numunenin yok olma katsayısı ile dalga boyu değişmez, hayır 1 ve no. 2 dalga boyunun artması ve iletim hızının azalması ile numuneler, oksijen içeriği çok düşüktür, metal Ti oluşur ve Ti'nin yok olma katsayısı sağ dalga boyu artmasıdır.

Dört örneğin karşılaştırılmasıyla, oksijen akışının artmasıyla, kaplamanın vakum derecesinin azaldığı ve TiO 2 filminin kırılmasının önce arttığı ve daha sonra azaldığı bulunmuştur. İyonizasyon iyon kaynağının oksijen iyonlarından sonra oksijen artışı ile, iyon yoğunluğu bombardıman filmini artıracak, daha yoğun membran tabakası yapacak, böylece oksijenin dolma miktarı daha da artacak şekilde film kırılma indisini artıracaktır. nispeten düşük vakum kaplama sistemi, fazla oksijen molekülleri ve TiO 2 membran moleküler çarpışması, TiO 2 ince film moleküler göçünü biriktirmek için TiO 2 membran moleküler kinetik enerjisini azalttı zar tabakasının yoğunluğu, ince filmlerin kırılma indisini daha da azaltmıştır. Daha az oksijen, yani vakum kaplama sistemi yüksekse, oksijen miktarının daha az olması nedeniyle de neden olur, 0010010 # 39; t kaynağı Ti 2 O 3 Oksijen oksijen içeriğinin buharlaşma kaybında ayrışması beklenirken, kaplama filmi bileşiminin nedeni titanyum oksit içeren düşük okside sahiptir, ince filmlerin optik özelliklerini etkiler, bu nedenle TiO 2 optik ince film için uygun akı oksijeni seçimi kaplama sistemi çok önemlidir.

IKS-OPT 2700 optik E-gun vakum kaplama makinesi，more details,contact: iks.pvd@foxmail.com